去年末，ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。新设备的体积非常巨大，需要使用13个集装箱和250个板条箱来进行运输，将从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地，另外还需要250名工程师并花费6个月完成安装。
据相关媒体报道，ASML透露其一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是现有EUV光刻机（约1.83亿美元）的两倍多。目前ASML已从英特尔和SK海力士等公司获得了High-NA EUV光刻机的订单，数量在10至20台之间。与此同时，ASML计划到2028年，每年生产20台High-NA EUV光刻机，以满足市场的需求。
High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。
由于新一代光刻设备与旧款产品之间有许多不同之处，需要进行大量的基础设施改造。英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。台积电（TSMC）要等到1nm级的A10工艺才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑，也就是说要等到2030年左右。
