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表征微型和超微型LED的主要考量因素

2024年8月29日 16:11  CCTIME飞象网  作 者:Gobinath Tamil Vanan

作者:是德科技产品营销经理Gobinath Tamil Vanan

由于发光二极管(LED) 具备能效高、寿命长、用途广等优势,因此在各种应用中广受欢迎,正如图1所示,可应用在家庭、办公室、汽车和电子显示屏等应用场景中。LED技术不断进步,以满足不断发展的需求。这种进步包括集成先进功能,如智能照明与物联网(IoT)技术,以及通过提高发光效率、热量管理和整体性能来提高LED照明或指示灯的效率。此外,显示技术的不断发展旨在提高LED显示器(如由数千个LED组成的迷你和微型LED)的对比度、能效和分辨率。

与有机发光二极管(OLED)和液晶显示器(LCD)技术相比,微型LED亮度、效率以及集成传感器等附加功能方面更具优势。然而,由于其生产成本高、技术复杂,其应用主要局限于增强现实(AR)/虚拟现实(VR)显示器、汽车照明和透明显示器等利基市场。这些改进推动了对用于评估LED特性的测量系统的需求不断增长。

图1.各种应用领域中的LED

LED的主要电气特性

在开发或制造LED时,了解其电气、光学和光-电流-电压(LIV)特性对确保最佳性能和功能至关重要。了解电气特性可确保LED在定的电压和电流范围内工作,这对电路设计至关重要。反之,光学特性则有助于深入了解发光质量,包括亮度、色彩精度和分布。LIV特性为了解光输出、电流和电压之间的关系提供了宝贵的信息,有助于优化操作参数以提高能效。表1列出了LED的电气特性;图2显示了IV特性和热特性。

表1.LED的主要电气特性

VF:正向电压

正向电压是打开LED所需的电压。评估时,施加IF(正向电流)并测量电压VF。

IR:反向电流

反向电流是指反向偏压下的泄漏电流。电流通常较小,例如小于1 µA;然而,这取决于LED的类型。为进行评估,施加VR(反向电压)并测量电流IR

IV曲线

正向和反向偏压下的IV曲线表明了在不同操作条件下的行为。评估时,可扫描电压(或电流)并测量电流(或电压)。在大电流下进行正向特性分析时,与直流扫描不同,脉冲扫描可防止自热效应。

热特性

热管理非常重要,因为它有助于减缓解LED p-n结产生的热量。为了准确描述这种热行为,需要施加长脉冲电流并测量瞬态电压。

图2.LED的电流-电压和热特性

使用光源/测量装置进行LED特性分析

LED测试通常使用源/测量单元(SMU)来进行各种测试,包括作为精确的IV源和测量工具来评估电气特性。源/测量单元还可用作精密偏置源,用于评估与光学仪器同步的光学和LIV特性。SMU是一种多功能仪器,集电流源、电压源、电流表和电压表的功能于一身。SMU可在这些功能之间无缝切换,并准确测量电流和电压输出。

内部反馈电路使SMU即使在负载条件发生意外变化时也能保持稳定性和准确性。这种可靠性使SMU成为表征LED等半导体器件的首选工具。图3展示了一个典型的设置,说明SMU如何与光学仪器同步,作为精密偏置源进行光学和光电流-电压特性分析。

图3.典型的LED表征设置

然而,随着LED技术的进步以满足日益增长的需求,LED设备和应用(如迷你和微型LED)的发展需要SMU能够满足日益严格的要求。

挑战

以下是工程师为实现精确测试必须克服的主要挑战。主要挑战包括空间和密度限制、精度要求和系统开发复杂性。

挑战1:SMU的数量和空间需求不断增加

为了有效评估每个由数千个LED组成的微型或小型LED,需要大量SMU通道和充足的空间,因此需要进行并行IV测试。在对多个LED进行耗时测试时,这种方法还能有效提高测试吞吐量。不过,并行IV测试虽然能提高测试吞吐量,但也需要SMU 提供充足的空间。

挑战2:测量仪器性能要求

随着对先进LED的需求不断增长,对精的要求也越来越高,尤其是在低电流、脉冲或瞬态测量中。在测试小电流、低反向电流时,精确的灵敏度至关重要,以防止噪声干扰这些测量。窄脉冲IV不足会因自热而影响正向特性。此外,在脉冲IV或热测试期间,有限的瞬态测量能力可能会妨碍捕捉电流或电压瞬态。有些SMU集成了内置脉冲发生器和数字转换器。然而,它们的性能可能无法满足所需要求。在这种情况下,就必须使用外部脉冲发生器或数字转换器。

挑战3:测试序列和物理连接的复杂性不断增加

在进行同步光学测试时,或在进行脉冲或瞬态测量时,内部或外部脉冲发生器和数字转换器之间需要在光学仪器和SMU之间实现精确同步。这些要求导致仪器控制和布线复杂性增加。随着SMU通道数量的增加,精确同步变得更加重要。从测试软件开发的角度来看,整个测试设置的自动化进一步增加了复杂性。

解决方案

为了克服LED IV测试中的多方面挑战,工程师必须寻找一种能够应对所有这些挑战的多功能光源/测量单元。以下是为LED测试选择SMU时需要考虑的三大因素,它们是应对每项挑战的关键。

解决方案1: 采用高密度紧凑型SMU

凭借高通道密度SMU外形,工程师可以节省宝贵的机架空间,最大限度地减少测试系统的占地面积。外形尺寸应侧重于通道数量以及配置SMU通道类型和规格的灵活性。一些灵活的SMU允许任何混合模块配置,以实现灵活的可扩展性。

解决方案2: 使用高精度SMU

有些SMU设计有超高精度功能,可在从反向偏压到正向偏压的整个LED偏置范围内进行精确的IV特性分析。特别是对于大功率LED,SMU的窄脉冲功能可在进行IV特性分析的同时最大限度地减少自热。

在热测试中,速度更快的数字化仪和灵活的触发系统可以捕捉热引起的瞬态,从根本上消除器件自热或噪声问题引起的任何测量误差。图4是正向和反向偏置电压的IV曲线扫描示例。图5显示了脉冲瞬态响应方法,以最大限度地减少器件自热效应。

图4.带有正向和反向偏置的LED的IV曲线

图5.利用脉冲IV特性最大限度地减少器件自热

解决方案#3:采用带有智能触发系统的SMU

带有智能触发系统的单箱解决方案可简化仪器控制,并使每个SMU和外部光学仪器的布线实现同步。集成了脉冲发生器和数字转换器功能的一体化SMU可有效减少所需的测试仪器和系统占地面积。该系统无需额外的布线和手动同步需求,从而解决了在小空间内进行并行IV测试的难题。

结论

Micro-LED技术不断进步,但在成为主流技术之前仍面临着需要解决的重大障碍。随着各种应用对微型LED的需求不断增长,制造商在精密IV测试解决方案方面面临着多重挑战。要克服这些挑战并在不断增长的LED市场中获得竞争优势,为IV测试解决方案选择正确的SMU非常重要。合适的SMU可以成为应对IV表征挑战的工具,包括光学测试中的密度、精度、同步和偏。多功能、高精度的SMU对确保LED的可靠性和高性能至关重要。

编 辑:魏德龄
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